PILATUS3 R 混合像素光子計(jì)數(shù)X射線探測(cè)器
1、產(chǎn)品特點(diǎn)：
PILATUS3 R 混合光子計(jì)數(shù)（HPC）探測(cè)器經(jīng)過(guò)重新設(shè)計(jì)，旨在實(shí)現(xiàn)好的數(shù)據(jù)質(zhì)量。該系列探測(cè)器基于同步輻射技術(shù)，并融合了兩種關(guān)鍵技術(shù)：?jiǎn)喂庾佑?jì)數(shù)和混合像素技術(shù)，實(shí)現(xiàn)了更好的實(shí)驗(yàn)室體驗(yàn)。 PILATUS3 R 系列進(jìn)一步完善了我公司實(shí)驗(yàn)室用系列探測(cè)器的*優(yōu)勢(shì)： DECTRIS 的即時(shí)觸發(fā)技術(shù)配合 PILATUS3 *的技術(shù)優(yōu)勢(shì)，充分提升了計(jì)數(shù)率和計(jì)數(shù)率的準(zhǔn)確校正。
PILATUS3 R 探測(cè)器的高計(jì)數(shù)率，使得其在處理高強(qiáng)度信號(hào)時(shí)顯示了*的優(yōu)勢(shì)。 DECTRIS 即時(shí)觸發(fā)技術(shù)可被用來(lái)準(zhǔn)確測(cè)量具有高強(qiáng)度衍射的樣品，如小分子或無(wú)機(jī)復(fù)合物樣品的高強(qiáng)度衍射峰。
單光子計(jì)數(shù)可消除所有的探測(cè)器噪音，從而得到優(yōu)質(zhì)的數(shù)據(jù)相對(duì)于同步輻射，實(shí)驗(yàn)室中的X射線源要微弱得多，只能得到較為微弱的衍射信號(hào)，因此通常需要較長(zhǎng)的曝光時(shí)間。由于沒(méi)有暗電流和讀出噪音， PILATUS3 R 系列探測(cè)器比其它實(shí)驗(yàn)室用探測(cè)器具有好的性能。
HPC 技術(shù)使得該系列探測(cè)器可直接探測(cè)X射線，比閃爍器探測(cè)器所產(chǎn)生的信號(hào)更為清晰。讀出時(shí)間短并能連續(xù)采集信號(hào)的 PILATUS3 R 系列探測(cè)器可高效輸出優(yōu)質(zhì)數(shù)據(jù)；較低的功耗和冷卻要求可確保您輕松使用并減少維護(hù)工作量。
PILATUS3 R 系列探測(cè)器專為您的實(shí)驗(yàn)室需求而量身定制，可提供的同步輻射成熟技術(shù)。具有*性能的PILATUS3 R 系列探測(cè)器。
2、核心優(yōu)勢(shì)：
– 可在單光子計(jì)數(shù)模式下直接探測(cè)X射線；
– DECTRIS即時(shí)觸發(fā)技術(shù)，可實(shí)現(xiàn)全程連續(xù)計(jì)數(shù)；
– 整體計(jì)數(shù)率；
– 準(zhǔn)確的計(jì)數(shù)率校正，可在高計(jì)數(shù)率條件下獲得數(shù)據(jù)質(zhì)量；
– 無(wú)讀出噪音和暗電流；
– 出色的點(diǎn)擴(kuò)散函數(shù)；
– 高動(dòng)態(tài)范圍；
– 讀出時(shí)間短，幀頻高。
3、應(yīng)用領(lǐng)域：PILATUS3 R 混合像素光子計(jì)數(shù)X射線探測(cè)器?
– 生物大分子晶體學(xué)（MX）；
– 單晶衍射（SCD）；
– X射線衍射（XRD）；
– 小角和廣角X射線散射（SAXS/WAXS）；
– 表面衍射；
– 漫散射；
– 時(shí)間分辨實(shí)驗(yàn)；
– 成像；
– 無(wú)損檢測(cè)。
4、技術(shù)參數(shù)：
PILATUS3 R | 100K-A | 200K-A | 300K | 300K-W | 1M |
探測(cè)器模塊數(shù)量 | 1 x 1 | 1 x 2 | 1 x 3 | 3 x 1 | 2 x 5 |
有效面積:寬*高[mm?] | 83.8 x 33.5 | 83.8 x 70.0 | 83.8 x 106.5 | 253.7 x 33.5 | 168.7 x 179.4 |
像素大小 [μm?] | 172 x 172 | ||||
總像素?cái)?shù)量 | 487x195=94,965 | 487x407=198,209 | 487x619=301,453 | 1475x195=287,625 | 981x1043=1,023.183 |
間隙寬度, 水平/垂直（像素） | 0 | - / 17 | - / 17 | 7 / - | 7 / 17 |
非靈敏區(qū) [ % ] | 0 | 4.3 | 5.5 | 0.9 | 7.2 |
缺陷像素 | < 0.03% | ||||
幀頻 [Hz] | 20 | 20 | 20 | 20 | 5 |
讀出時(shí)間 [ms] | 7 | ||||
點(diǎn)擴(kuò)散函數(shù) | 1 pixel（FWHM） | ||||
計(jì)數(shù)器深度 | 20 bits（1,048,576 counts） | ||||
閾值能量 [keV] | 3.5 - 18 | 3.5 - 18 | 2.7 - 18 | 2.7 - 18 | 2.7 - 18 |
功耗 [W] | 30 | 30 | 36 | 36 | 165 |
尺寸（WHD）[mm?] | 156x115x284 | 156x155x284 | 158x193x262 | 280x62x296 | 265x286x455 |
重量 [kg] | 4.5 | 5.4 | 7.5 | 7.0 | 25 |
模塊冷卻 | 風(fēng)冷 | 風(fēng)冷 | 水冷 | 水冷 | 水冷 |
電子冷卻 | 風(fēng)冷 | 風(fēng)冷 | 水冷 | 水冷 | 風(fēng)冷 |
外接觸發(fā)電壓 | 5V TTL | ||||
能量校準(zhǔn) | 鉻，錳，鐵，銅，鎵，鉬，銀的Ka線 | ||||
標(biāo)準(zhǔn)配置 | 450微米的硅傳感器 | ||||
探測(cè)器可選配置 | 1000微米的硅傳感器 | ||||
- | - | 可用于真空 | 可用于真空 | - | |
